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    12-hi hbm3e 文章 最新資訊

    三星在 NVIDIA的12-Hi HBM3E驗(yàn)證中再次失誤,重新測(cè)試定于9月進(jìn)行

    • 隨著美光(爭奪 NVIDIA HBM 訂單的主要競爭對(duì)手)宣布已交付其第一批 12 層 HBM4 樣品,據(jù)報(bào)道,三星在 6 月份第三次嘗試通過 NVIDIA 的 HBM3E 12 層驗(yàn)證時(shí)跌跌撞撞。據(jù)《商業(yè)郵報(bào)》援引證券分析師的話稱,該公司現(xiàn)在的目標(biāo)是在 9 月進(jìn)行重新測(cè)試。盡管 Deal Site 此前表示,三星的 12 層 HBM3E 已在 5 月通過了 NVIDIA 的裸片認(rèn)證,但該產(chǎn)品仍需要進(jìn)行全封裝驗(yàn)證。另一方面,SR Times 表示,三星自去年下半年以來一直在提
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    HBM4爭霸戰(zhàn)開打 美光領(lǐng)跑

    • 生成式AI持續(xù)爆發(fā),推升高帶寬記憶體(HBM)需求急遽攀升。 全球三大內(nèi)存廠—美光、SK海力士與三星電子全面投入HBM4戰(zhàn)局,爭搶AI加速器內(nèi)存主導(dǎo)權(quán)。 其中,美光搶先宣布送樣,技術(shù)領(lǐng)先態(tài)勢(shì)明顯。美光12日宣布,已將最新12層堆疊、容量達(dá)36GB的HBM4,送樣給多家全球客戶。 該產(chǎn)品采用先進(jìn)的1β DRAM制程,搭配2048位寬高速接口,單堆疊傳輸速率突破2.0 TB/s,效能較前一代HBM3E提升超過60%,能源效率亦提升逾20%,預(yù)計(jì)2026年正式量產(chǎn)。美光指出,HBM4具備內(nèi)存內(nèi)建自我測(cè)試(MBI
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    UMC對(duì)中東擴(kuò)張不屑一顧;稱英特爾的12 納米是必勝項(xiàng)目

    • 據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》和 CNA 報(bào)道,在有傳言稱臺(tái)積電拒絕了在卡塔爾的擴(kuò)張報(bào)價(jià),臺(tái)灣第二大晶圓代工廠聯(lián)電于 5 月 28 日透露,中東國家也與他們接洽尋求合作。然而,報(bào)告指出,聯(lián)華電子對(duì)此興趣不大,而是優(yōu)先考慮新加坡的未來增長。據(jù)報(bào)道,聯(lián)華電子首席財(cái)務(wù)官 Chi-Tung Liu 證實(shí),中東各方正在尋求潛在的合作,但由于重點(diǎn)主要是產(chǎn)能擴(kuò)張——這是聯(lián)華電子希望避免的道路——由于新加坡的政治中立立場(chǎng),該公司將新加坡的未來增長放在首位。CNA 報(bào)道稱,據(jù) Liu 稱,聯(lián)華電子位于新加坡的 P3 晶
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    美光12hi HBM3e在CSP的強(qiáng)勁支持下,到8月出貨量可能超過8hi

    • 當(dāng)三星全速推進(jìn)其 12hi HBM3e 驗(yàn)證和 HBM4 開發(fā)時(shí),美光一直處于低調(diào)狀態(tài)。但據(jù) New Daily 報(bào)道,這家美國內(nèi)存巨頭正在悄然崛起——其 12hi HBM3e 良率正在迅速提高,贏得了主要 CSP 的好評(píng)。該報(bào)告援引美光在投資者會(huì)議上的言論,表明該公司對(duì) 12hi HBM3E 押下重注,并預(yù)計(jì)該產(chǎn)品最早在 8 月的出貨量將超過目前的 8hi HBM3e,目標(biāo)是在第三季度末達(dá)到穩(wěn)定的良率水平。此外,據(jù) New Daily 報(bào)道,由于 NVIDIA 可能會(huì)加快其下一代 R
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    搶英偉達(dá)訂單?三星提前量產(chǎn)12層堆疊HBM3E

    • 據(jù)韓國媒體ZDNet Korea報(bào)道,三星電子在2025年2月左右已提前開始量產(chǎn)12層堆疊的HBM3E高帶寬內(nèi)存,但尚未通過GPU巨頭英偉達(dá)的認(rèn)證,因此目前無法向其供貨。這一決定讓三星面臨積累大量庫存的風(fēng)險(xiǎn)。市場(chǎng)消息人士透露,三星對(duì)其12層堆疊HBM3E的性能和穩(wěn)定性充滿信心,認(rèn)為能夠順利通過英偉達(dá)的認(rèn)證流程。提前量產(chǎn)的策略旨在通過認(rèn)證后快速供貨,助力實(shí)現(xiàn)2025年HBM出貨量達(dá)到2024年兩倍的目標(biāo)。目前,英偉達(dá)最新的AI芯片主要采用SK海力士供應(yīng)的12層堆疊HBM3E。SK海力士憑借其在HBM市場(chǎng)的主
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    Google AI芯片通知撤換 三星HBM3E認(rèn)證再傳卡關(guān)

    • 三星電子(Samsung Electronics)近來重兵部署在HBM先進(jìn)制程,但供應(yīng)鏈傳出,三星HBM3E認(rèn)證進(jìn)度再遭卡關(guān),由于Google投入自行設(shè)計(jì)AI服務(wù)器芯片,原打算搭配三星HBM3E,并送交臺(tái)積電進(jìn)行CoWoS封裝,但日前卻突然通知三星HBM遭撤下。據(jù)了解,事發(fā)源頭是來自三星HBM3E未能通過NVIDIA認(rèn)證,Google為求保險(xiǎn)起見,可能改換美光(Micron)產(chǎn)品遞補(bǔ)供應(yīng),相關(guān)市場(chǎng)消息近日在業(yè)界傳得沸沸揚(yáng)揚(yáng)。對(duì)此,消息源向三星求證,三星回復(fù)無法評(píng)論客戶相關(guān)事宜,相關(guān)開發(fā)計(jì)劃仍按照進(jìn)度執(zhí)行。
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    消息稱 SK 海力士將獨(dú)家供應(yīng)英偉達(dá) 12 層 HBM3E 芯片

    • 3 月 18 日消息,據(jù)臺(tái)媒 digitimes 今日消息,SK 海力士預(yù)計(jì)將獨(dú)家供應(yīng)英偉達(dá) Blackwell Ultra 架構(gòu)芯片第五代 12 層 HBM3E,預(yù)期與三星電子、美光的差距將進(jìn)一步拉大。SK 海力士于去年 9 月全球率先開始量產(chǎn) 12 層 HBM3E 芯片,實(shí)現(xiàn)了最大 36GB 容量。12 層 HBM3E的運(yùn)行速度可達(dá) 9.6Gbps,在搭載四個(gè) HBM 的 GPU 上運(yùn)行‘Llama 3 70B’大語言模型時(shí)每秒可讀取 35 次 700 億個(gè)整體參數(shù)的水平。去年 11 月,SK
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    SK 海力士介紹全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存,明年初出樣

    • 11 月 4 日消息,SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存。該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn) 48GB 的單堆棧容量,預(yù)計(jì)明年初出樣。雖然一般認(rèn)為 16 層堆疊 HBM 內(nèi)存直到下一世代 HBM4 才會(huì)正式商用,但參考內(nèi)存領(lǐng)域 IP 企業(yè) Rambus 的文章,HBM3E 也有擴(kuò)展到 16 層的潛力。此外注意到,SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學(xué)術(shù)會(huì)議準(zhǔn)備的論文中也提到了可實(shí)現(xiàn) 1280G
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    集Hi-Fi、智能和USB多通道等特征于一體的微控制器

    • 隨著諸多技術(shù)突破和全新流媒體服務(wù)的不斷融合,在智能家居和智能音箱市場(chǎng)日益繁榮的今天,消費(fèi)者對(duì)于音頻的需求已不再僅僅局限于音質(zhì)本身,更多的是追求高品質(zhì)的生活體驗(yàn)和便捷的智慧互聯(lián)。因此,要想更好的迎接數(shù)字音頻新時(shí)代,當(dāng)今的數(shù)字音頻,不僅要能夠提供Hi-Fi的音質(zhì),而且還能夠作為智能設(shè)備的人機(jī)界面,同時(shí)還能夠用USB多通道等方式方便連接......XMOS在其最新的xcore器件中集成了邊緣AI、DSP、控制單元和I/O等功能,因而可以在新一代音頻、電機(jī)控制、工業(yè)自動(dòng)化和邊緣計(jì)算等許多應(yīng)用和場(chǎng)景中,利用軟件就能
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    全球首款12層堆疊HBM3E,開始量產(chǎn)了

    • SK 海力士宣布,已開始量產(chǎn) 12H HBM3E 芯片,實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有 HBM 產(chǎn)品中最大的 36GB 容量。
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    HBM3e 12hi面臨良率和驗(yàn)證挑戰(zhàn),2025年HBM是否過剩仍待觀察

    • 近期市場(chǎng)對(duì)于2025年HBM可能供過于求的擔(dān)憂加劇,而據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示,由于明年廠商能否如期大量轉(zhuǎn)進(jìn)HBM3e仍是未知數(shù),加上量產(chǎn)HBM3e 12hi的學(xué)習(xí)曲線長,目前尚難判定是否會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)能過剩局面。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,Samsung(三星)、SK hynix(SK海力士)與Micron(美光)已分別于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品,目前處于持續(xù)驗(yàn)證階段。其中SK hynix與Micron進(jìn)度較快,有望于今年底完成
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    三星8層堆疊HBM3E已通過英偉達(dá)所有測(cè)試,預(yù)計(jì)今年底開始交付

    • 三星去年10月就向英偉達(dá)提供了8層垂直堆疊的HBM3E(24GB)樣品,不過一直沒有通過英偉達(dá)的測(cè)試。此前有報(bào)道稱,已從多家供應(yīng)鏈廠商了解到,三星的HBM3E很快會(huì)獲得認(rèn)證,將在2024年第三季度開始發(fā)貨。據(jù)The Japan Times報(bào)道,三星的HBM3E終于通過了英偉達(dá)的所有測(cè)試項(xiàng)目,這將有利于其與SK海力士和美光爭奪英偉達(dá)計(jì)算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達(dá)還沒有最終確定供應(yīng)協(xié)議,但是問題不大,預(yù)計(jì)今年底開始交付。值得一提的是,三星還有更先進(jìn)的12層垂直堆疊HBM3E(32GB)樣品
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    公司 8 層 HBM3E 芯片已通過英偉達(dá)測(cè)試?三星回應(yīng)稱并不屬實(shí)

    • IT之家 8 月 7 日消息,今天早些時(shí)候路透社報(bào)道稱,三星的 8 層 HBM3E 芯片已通過英偉達(dá)測(cè)試。現(xiàn)據(jù)韓媒 BusinessKorea 報(bào)道,三星電子回應(yīng)稱該報(bào)道并不屬實(shí)。對(duì)于這一傳聞,三星明確回應(yīng)稱:“我們無法證實(shí)與客戶相關(guān)的報(bào)道,但該報(bào)道不屬實(shí)?!贝送?,三星電子的一位高管表示,目前 HBM3E 芯片的質(zhì)量測(cè)試仍在進(jìn)行中,與上月財(cái)報(bào)電話會(huì)議時(shí)的情況相比沒有任何變化。此前路透社的報(bào)道稱,三星的 8 層 HBM3E 芯片已經(jīng)通過英偉達(dá)的測(cè)試,并將于第四季度開始供貨。IT之家注意到
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    英偉達(dá)黃仁勛反駁三星HBM3e有問題

    • 近日,英偉達(dá)(NVIDIA)執(zhí)行長黃仁勛在2024年中國臺(tái)北國際電腦展上對(duì)三星HBM因過熱問題而未能通過測(cè)試的報(bào)道進(jìn)行了反駁。他表示,英偉達(dá)正在努力測(cè)試三星和美光生產(chǎn)的HBM芯片,但目前尚未通過測(cè)試,因?yàn)檫€有更多的工程工作要做。其中特別針對(duì)三星HBM產(chǎn)品的質(zhì)量問題,黃仁勛表示,認(rèn)證三星HBM需要更多工作和充足耐心,而并非部分媒體所報(bào)道的因芯片過熱問題未通過質(zhì)量測(cè)試。他重申,英偉達(dá)與三星的合作進(jìn)展順利。此前,三星也堅(jiān)決否認(rèn)有關(guān)其高帶寬存儲(chǔ)(HBM)產(chǎn)品未能達(dá)到英偉達(dá)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的報(bào)道。三星電子在一份聲明中表示,
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    韓媒分析三星HBM未通過英偉達(dá)認(rèn)證測(cè)試原因

    • 在 HBM3 上,三星落后了。
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